Tìm tài liệu

Khao sat su phu thuoc hieu suat ghi vao kich thuoc hinh hoc cua Detecter nhap nhay bang phuong phap MONTE CARLO

Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO

Upload bởi: huynhtamdl

Mã tài liệu: 300499

Số trang: 71

Định dạng: pdf

Dung lượng file: 1,205 Kb

Chuyên mục: Vật lý

Info

MS: LVVL-VLNT001

SỐ TRANG: 71

NGÀNH: VẬT LÝ

CHUYÊN NGÀNH: VẬT LÝ NGUYÊN TỬ, HẠT NHÂN VÀ NĂNG LƯỢNG CAO

TRƯỜNG: ĐHSP TPHCM

NĂM: 2010

GIỚI THIỆU LUẬN VĂN

MỞ ĐẦU

Trong lĩnh vực vật lý hạt nhân, ghi nhận bức xạ hạt nhân đóng vai trò quan trọng trong việc

nghiên cứu các đặc trưng của tia bức xạ. Chính vì vậy, các nhà khoa học đã nghiên cứu chế tạo các

thiết bị ghi nhận bức xạ hạt nhân. Ban đầu, các detector chỉ dùng để xác nhận sự có mặt của chùm

bức xạ tia X và tia gamma, sau đó là xác định cường độ của các chùm tia này. Ngày nay, các

detector không chỉ dừng lại ở việc phát hiện mà còn cho phép ta xác định đặc trưng phân bố độ cao

xung theo năng lượng tia X và tia gamma.

Hiệu suất ghi nhận bức xạ hạt nhân của các detector phụ thuộc vào nhiều yếu tố khác nhau như

loại detector (detector nhấp nháy, bán dẫn,...) hay năng lượng tia bức xạ, khoảng cách từ nguồn

phát bức xạ tới detector. Đối với detector nhấp nháy, hiệu suất ghi phụ thuộc vào nhiều yếu tố như

loại tinh thể nhấp nháy; kích thước, hình dạng của tinh thể....Đối với detector bán dẫn, hiệu suất ghi

phụ thuộc vào loại bán dẫn như Si(Li), Ge(Li), HPGe...

Việc xây dựng đường cong hiệu suất của các detector là rất cần thiết vì từ đó chúng ta có thể

chọn lựa những thuộc tính của detector để tối ưu hiệu suất của detector, từ đó việc nghiên cứu sẽ đạt

kết quả cao hơn. Cho đến nay đã có nhiều công trình nghiên cứu xây dựng đường cong hiệu suất của

detector bán dẫn, cụ thể là đối với bán dẫn siêu tinh khiết HPGe, nhưng chưa xây dựng cho detector

nhấp nháy. Các detector nhấp nháy hiện nay vẫn được sử dụng khá rộng rãi nhờ những ưu điểm

riêng của nó nên việc xây dựng đường cong hiệu suất của nó cũng rất cần thiết.

Trong nghiên cứu khoa học, các phương pháp đo đạc và tính toán bằng thực nghiệm đóng một

vai trò rất quan trọng. Nhờ thực nghiệm mà những kết quả tính toán bằng lý thuyết được kiểm chứng

về tính đúng đắn của nó. Khi kết quả lý thuyết và thực nghiệm có sự phù hợp với nhau thì đó chính là

cơ sở để tin tưởng vào sự chính xác của kết quả. Tuy nhiên không phải lúc nào các phương pháp thực

nghiệm cũng được thực hiện một cách dễ dàng, chính xác, nhất là trong lĩnh vực nghiên cứu về vật lý

hạt nhân, một lĩnh vực mà những kết quả tính toán thường là gần đúng và mang tính chất thống kê.

Chính vì lý do đó mà ngày nay người ta thường kết hợp giữa lý thuyết và thực nghiệm trong việc

nghiên cứu một vấn đề nào đó. Một trong những phương pháp lý thuyết đó là mô phỏng trên máy

tính, cụ thể là mô phỏng Monte Carlo và dùng chương trình MCNP. Đây là một chương trình được sử

dụng khá phổ biến trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Việc áp dụng chương trình MCNP trong vật lý

hạt nhân cũng đã được thực hiện trong nhiều năm gần đây với các phiên bản MCNP mới ngày càng

hoàn thiện hơn. Vì vậy, việc hiểu biết về chương trình cũng như cách sử dụng nó là một điều hết sức

cần thiết đối với những người làm việc trong lĩnh vực vật lý hạt nhân.

Trong đề tài luận văn này, chương trình MCNP4C2 được sử dụng để khảo sát hiệu suất ghi bức xạ hạt nhân của detecter nhấp nháy, xem nó phụ thuộc như thế nào vào kích thước hình học của

detector. Đây là một đề tài chưa được nhiều người quan tâm nghiên cứu. Dựa trên những kết quả đạt

được, ta sẽ có những lựa chọn tốt nhất trong việc sử dụng các detector nhấp nháy trong ghi nhận các

tia bức xạ hạt nhân.

Đối tượng nghiên cứu trong luận văn này là detector nhấp nháy Gamma – Rad và bộ nguồn

phóng xạ chuẩn có tại phòng thí nghiệm vật lý hạt nhân của trường Đại học Sư phạm thành phố Hồ

Chí Minh. Chi tiết về detector và bộ nguồn sẽ được mô tả chi tiết trong phần sau của luận văn.

Phương pháp nghiên cứu của đề tài luận văn này là kết hợp giữa mô phỏng bằng máy tính và

thực nghiệm. Phần mềm mô phỏng được sử dụng ở đây là MCNP4C2, đây là một trong những

chương trình mô phỏng trên máy tính đáng tin cậy, ứng dụng phương pháp Monte Carlo để mô phỏng

quá trình vận chuyển của nơtron, photon và electron riêng biệt hoặc kết hợp trong môi trường vật

chất.

Nội dung luận văn được trình bày thành ba chương:

 Chương 1: trình bày tổng quan về những tiến bộ trong quá trình phát triển detector ghi bức xạ

tia X và tia gamma; cơ sở lý thuyết cho việc nghiên cứu đề tài, cũng như về phương pháp ghi nhận

bức xạ hạt nhân bằng detector nhấp nháy.

 Chương 2: trình bày về phương pháp Monte-Carlo và chương trình MCNP.

 Chương 3: mô phỏng đầu dò nhấp nháy, xây dựng đường cong biểu diễn sự phụ thuộc hiệu

suất ghi của detector theo khoảng cách và theo năng lượng, so sánh với thực nghiệm để kiểm tra lại độ

tin cậy của chương trình MCNP và chất lượng code đầu vào. Từ đó dùng mô phỏng MCNP để xây

đựng đường cong biểu diễn sự phụ thuộc hiệu suất ghi của detector nhấp nháy vào kích thước của nó.

Phần bên dưới chỉ hiển thị một số trang ngẫu nhiên trong tài liệu. Bạn tải về để xem được bản đầy đủ

  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Đang tải dữ liệu ...
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO
  • Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO

GỢI Ý

Những tài liệu gần giống với tài liệu bạn đang xem

Khảo sát hiệu suất ghi của Detecto nhấp nháy ...

Upload: quythinhsanotc

📎 Số trang: 61
👁 Lượt xem: 771
Lượt tải: 16

Nghiên cứu hiện tượng hiệu dịch trao đổi của ...

Upload: rua042004

📎 Số trang: 38
👁 Lượt xem: 582
Lượt tải: 16

Nghiên cứu đo tuổi Carbon phóng xạ mẫu địa ...

Upload: tienlh

📎 Số trang: 61
👁 Lượt xem: 689
Lượt tải: 16

Khảo sát phổ phát quang của dung dịch thuốc ...

Upload: tranvanthang4101

📎 Số trang: 45
👁 Lượt xem: 789
Lượt tải: 16

Nghiên cứu khả năng khử màu thuốc nhuộm bằng ...

Upload: duchuy0910

📎 Số trang: 34
👁 Lượt xem: 591
Lượt tải: 16

Hiệu ứng quang điện khảo sát đặc tuyến vôn ...

Upload: chungkhoan1979

📎 Số trang: 66
👁 Lượt xem: 930
Lượt tải: 17

Mô phỏng MONTE CARLO và kiểm chứng thực ...

Upload: hodica74

📎 Số trang: 59
👁 Lượt xem: 809
Lượt tải: 16

Xác định các thông số động học của MgB4O7 Dy ...

Upload: dtck0101

📎
👁 Lượt xem: 764
Lượt tải: 16

Vận dụng phương pháp dạy học khám phá vào ...

Upload: hung_can2004

📎 Số trang: 112
👁 Lượt xem: 758
Lượt tải: 21

Chuyên ngành phương pháp Nhu cầu của học ...

Upload: namcham201

📎
👁 Lượt xem: 605
Lượt tải: 16

Nghiên cứu quy trình tổng hợp hạt nano bạc ...

Upload: thanghbg

📎 Số trang: 72
👁 Lượt xem: 826
Lượt tải: 16

NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA ZnAl2O4 Eu3 ...

Upload: ttvnol01

📎 Số trang: 57
👁 Lượt xem: 883
Lượt tải: 16

QUAN TÂM

Những tài liệu bạn đã xem

Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích ...

Upload: huynhtamdl

📎 Số trang: 71
👁 Lượt xem: 795
Lượt tải: 16

CHUYÊN MỤC

Khoa học tự nhiên Vật lý
Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO MS: LVVL-VLNT001 SỐ TRANG: 71 NGÀNH: VẬT LÝ CHUYÊN NGÀNH: VẬT LÝ NGUYÊN TỬ, HẠT NHÂN VÀ NĂNG LƯỢNG CAO TRƯỜNG: ĐHSP TPHCM NĂM: 2010 GIỚI THIỆU LUẬN VĂN MỞ ĐẦU Trong lĩnh vực vật lý hạt nhân, ghi nhận bức xạ hạt nhân đóng vai trò quan trọng trong pdf Đăng bởi
5 stars - 300499 reviews
Thông tin tài liệu 71 trang Đăng bởi: huynhtamdl - 25/07/2024 Ngôn ngữ: Việt nam, English
5 stars - "Tài liệu tốt" by , Written on 25/07/2024 Tôi thấy tài liệu này rất chất lượng, đã giúp ích cho tôi rất nhiều. Chia sẻ thông tin với tôi nếu bạn quan tâm đến tài liệu: Khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của Detecter nhấp nháy bằng phương pháp MONTE CARLO