EFFECTS OF Si Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE CHARACTERISTICS OF DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASERFilms of AlGaN and GaN are used as a Distributed Bragg Reflector (DBR) mirror for light emitting diode (LED) and vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) type of laser. In this paper, we report the influence of different substrates on thepdf Đăng bởi batdongsanhnvn
5 stars -
610206 reviews
Thông tin tài liệu
9 trang
Đăng bởi: batdongsanhnvn -
29/06/2012
Ngôn ngữ: Việt nam, English
5 stars -
"Tài liệu tốt"
by Kenny-43,
Written on
14/02/2026
Tôi thấy tài liệu này rất chất lượng, đã giúp ích cho tôi rất nhiều. Chia sẻ thông tin với tôi nếu bạn quan tâm đến tài liệu: EFFECTS OF Si Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE CHARACTERISTICS OF DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASER